精密MOS管

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。

MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能后确认具体的源和漏。

反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远S端，PMOS完全截止。

主要电源管理芯片有的是双列直插芯片，而有的是表面贴装式封装，其中HIP630x系列芯片是比较经典的电源管理芯片，由芯片设计公司Intersil设计。它支持两/三/四相供电，支持VRM9.0规范，电压输出范围是1.1V-1.85V，能为0.025V的间隔调整输出，开关频率高达80KHz，具有电源大、纹波小、内阻小等特点，能精密调整CPU供电电压。

如果所设计的电路要求电源有高的噪音和纹波抑制，要求占用PCB板面积小(如手机等手持电子产品)，电路电源不允许使用电感器(如手机)，电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能，要求稳压器压降及自身功耗低,线路成本低且方案简单，那么线性电源是恰当的选择。这种电源包括如下的技术：精密的电压基准，、低噪音的运放，低压降调整管，低静态电流。

电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，传统的模拟技术电源管理IC满足系统整体电源管理要求的难度也就越大，价格也更加昂贵。数字控制器的核心主要由三个特殊模块组成：抗混叠(anti-aliasing)滤波器、模数转换器(ADC)和数字脉冲宽度调制器(DPWM)。